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2014
iPhone 6のNANDフラッシュはMLCもあれば、TLCもある
iPhone 6のNANDフラッシュはMLCもあれば、TLCもある
なぜ混ぜた→ 【やじうまPC Watch】iPhone 6のNANDフラッシュはMLCかTLCか - PC Watch
香港のPC関連情報サイトHKEPCによると、任意に選んだ3台の iPhone 6のうち、2台のフラッシュメモリはMLC(東芝製 or Hynix製)で、1台がTLC(SanDisk製)であったとのこと。
メーカーが異なるのはよくある話ですが、TLCが混じっているというのは初耳。
「TLC」は大雑把に言うと、耐久性を犠牲に容量を増やしたフラッシュメモリ。最先端のNANDチップですが、悪く言えば「コスト優先」志向と言えます。
AnandTechの比較表をベースに簡単に比較すると
SLC | MLC | TLC | |
セル当たりのBit数 | 1 | 2 | 3 |
書込・消去耐久回数 | 10万回 | 3000回 | 1000回 |
速度 | 速い | 普通 | 遅い |
容量当たりのコスト | 高い | 普通 | 安い |
ちなみにDRAMの書き換え回数は10の15乗、実質無制限
このTLCの耐久性・速度の弱点をカバーするため、通常はDRAMでバッファーを設けることで、なるべく書き込み回数を減らす工夫をします。
TLCを採用したSanDiskのローエンドSSDなどもその1つ。
Based on X3 NAND Flash technology, the SanDisk Ultra II SSD comes equipped with nCache™ 2.0 technology that utilizes a two-tiered caching architecture to optimize drive speed and endurance.
→ SanDiskニュースリリース
X3 NANDフラッシュテクノロジーをベースにした、サンディスク ウルトラ II SSDはドライブの速度と耐久性を最適化する2層のキャッシュ構造 nCache 2.0 テクノロジーを備えています。
TLC版 iPhone 6 ではキャッシュ用のDRAMを積まずに、メインメモリをバッファーとして使っているとのことで「なんだかなー」という感じです。
TLCは四日市工場製?
SanDiskは東芝と共同でファブを運営しており、このTLCも四日市工場製である可能性が高いです。
本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており
→ 東芝:プレスリリース (2014-04-23):世界初、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について
年々TLCも改良が加えられており、MLCからTLCへの流れは不可避なのかもしれませんが、TLC版 iPhone 6 がハズレに見えるのは否めないところです。