東芝 2年後には30nmプロセスでフラッシュメモリを製造　10/8

おとつい東芝の話を書きましたが、また東芝の話を。2年後を目標に30nmプロセスを導入するという話が日経新聞のトップに出ています。フラッシュメモリ1兆円投資計画の枠の中で可能とのことですが、頑張ってます。
　→　http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20070905/138805/?ST=memory
　→　http://www.eetimes.jp/contents/200709/24945_2_20070905215035.cfm

30nmでCPUなど複雑なロジック回路を作ろういうわけではないので、今のペースからいけば十分実現しそうです。さきのIDFで32nmのSRAMを見せ、2009年には32nmプロセスのCPUを実用化しようとしているIntelはちょっと例外。

まだどのタイプのフラッシュメモリを作るかは報じられていないみたいですが、普通の2bit/cellのMLC型でワンチップ8GBになるとのこと。通常、チップを積層して実装されることが多いので、例えば8枚重ねたとすると見た目ワンチップで64GB！になります。

順調に生産開始されれば、2010年頃には64GB、128GBというSDカードが当たり前に出回ることになるでしょうし、SSDも100GB超の製品が1、2万でごろごろしてそうです。下手すると200GB、300GBのSSDなんてものも一般人向けに出てくるかもしれません（＾＾；

しかも東芝は3bit/cell、4bit/cell、さらには立体構造型のフラッシュメモリも現在開発中。無事、これらが実用化できたとすると、クイズダービーごとく「さらに容量1.5倍、2倍！」なんてことになるかもしれません。B5ノートでSSDが主流になるのも時間の問題でしょうか。
　→　SDカードロードマップ