東芝 2年後には30nmプロセスのフラッシュメモリ 修正

※EE Timesの記事がリニューアルで消えたので、その辺の修正。

おとつい東芝の話を書きましたが、また東芝の話を。2年後を目標に30nmプロセスを導入するという話が日経新聞のトップに出ています。フラッシュメモリ1兆円投資計画の枠の中で可能とのことですが、頑張ってます。
　→　30nm世代のNAND型フラッシュ，東芝が2009年下期にサンプル出荷へ

30nmでCPUなど複雑なロジック回路を作ろういうわけではないので、今のペースからいけば十分実現しそうです。さきのIDFで32nmのSRAMを見せ、2009年には32nmプロセスのCPUを実用化しようとしているIntelはちょっと例外。

まだどのタイプのフラッシュメモリを作るかは報じられていないみたいですが、普通の2bit/cellのMLC型でワンチップ64Gbit (8GB)になるとのこと。通常チップを積層し製品化するので、写真の通り8枚入れると64GBになります。

順調に生産開始されれば、2010年頃には64GBのSDカードが当たり前になり、SSDも100GB超の製品が1、2万でごろごろしてそうです。下手すると200GB、300GBのSSDなんてものも一般人向けに出てくるかもしれません（＾＾；（価格は10万円オーバーでしょうが）

しかも東芝は3bit/cell、4bit/cell、さらには立体構造型のフラッシュメモリも現在開発中。無事、これらが実用化できたとすると、クイズダービーごとく「さらに容量1.5倍、2倍！」なんてことになるかもしれません。B5ノートでSSDが主流になるのも時間の問題でしょうか。
　→　SDカードロードマップ

※追記
2009年4月27日、32nmプロセスのNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始。
　→　東芝：ニュースリリース (2009-04-27)：最先端プロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのサンプル出荷開始について