「Intel、東芝、Samsungが半導体微細化で共同開発」の日経報道

Intel、東芝、Samsungが半導体微細化を共同開発。日本政府が音頭を取る枠組みに、韓国と米国の企業が入る点が目新しい。
　→　[ITMedia] 「Intel、東芝、Samsungが半導体微細化で共同開発」の報道

Intelは「11nmプロセスまでは自社だけでできる！」と言っていましたが、
　→　[4Gamer] 「11nmプロセスまでは自社だけで実現できる」。インテル，製造開発部門のロードマップを披露

「1社だけで先んじるつもりもない」とも語っていたので、こうなったのでしょうか。

EUVや450mmウエーハの運用開始時期についても聞いてみた。「EUVは，液浸と同じく，Intelが先陣を切ることはない。メモリー・メーカーがまず採用すると思う」
　→　「11nmまでは1社で開発できるメドが立っている」とインテルの技術開発・製造技術本部長 - Tech-On

製造プロセスが10nm近くになると、EUVへの移行という大きな壁があります。
　→　450mmウエハー、EUV、TSV、半導体製造の最新技術は実用化のめども立たず | EE Times

当初見込みより開発が難しいらしく、ずるずると先延ばしされている技術です。
業界のEUVロードマップは

　・ 欧州の先端研究機関IMECのチーフは2014年からの大量生産（参照）
　・ 元AMD製造部門のGLOBAL FOUNDRIESは2015年からの導入をほのめかす（参照）

などなど。15nmや16nmプロセスから使われる見込みとのこと。

EUV以外の技術を模索する動きも依然としてあるようです。

ASMLの第2世代機の出荷は11年上半期までに計6台の出荷が計画されている。納入先は先述のサムスンのほか、インテルやTSMC、国内では東芝なども第2世代機を購入するものとみられる。 　しかし、サムスンを除く他の導入企業（特にメモリー以外）は実のところ、慎重な姿勢を貫いている。次世代露光技術については、EUVを第1候補とするものの、他の技術の可能性も捨てずにいる状況だ。
　→　半導体産業新聞2010年10月27日

半導体製造の話は末端ユーザーには直接は関係ないので、製品レベルのロードマップを再確認。

Intelのチックタック戦略
2011年の年末には22nmプロセスでIvy Bridgeの大量生産がスタート

リリース年（製造開始はもうちょっと早いか）
　2006年　Merom　65nm
　2007年　Penryn　45nm
　2008年　Nehalem　45nm
　2010年　Westmere　32nm
　2011年　SandyBridge　32nm
　2012年　IvyBridge　22nm
　2013年　○○○　22nm
　2014年　△△△　16nm　ここでEUV？　EUV以外で対応？


上記の4gamer記事内スライドより　Intelの製造プロセスロードマップも

　High Volume Manufacturing
　2008 45nm P1266
　2010 32nm P1268
　2012 22nm P1270
　2014 16nm P1272
　2016 11nm
　2018 8nm
　2020 6nm
　2022 4nm

ロードマップ通りに事が進むと10年後には4nmなどというとんでもない微細化が視野に入ってくるわけですが、さすがのIntelをもってしてもそれは可能なんだろうか．．．と思いますが。トランジスタの構造そのものが変わってくるのでしょうね。