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タグ: 半導体
| 2011 | ||
| 5.14 | Intel、Appleプロセッサの製造委託を狙う | |
| 5.2 | 30nmプロセスDRAMの本格量産を開始 | |
| 2010年9月に開発を完了。広島工場と台湾レックスチップで生産を開始。レックスチップは今年の第4四半期には100％移行。40nm比でチップ取得数は45％増、消費電力は20％減。 | ||
| 4.21 | 東芝、世界最小 19nmプロセス NANDフラッシュメモリを開発 | |
| 64Gb (8GB) NANDフラッシュメモリの開発を発表。2011Q3から量産。Toggle DDR2.0規格準拠 | ||
| 4.15 | Intelが製造プロセス 20nm NANDフラッシュを発表 | |
| 4.8 | 膨れあがるプロセス開発資金、次々脱落するライバル企業 | |
| 1カ所の最先端プロセスFabを維持するには、売上が70億ドル〜100億ドルないと投資に耐えられない。 | ||
| 4.5 | Hynix、DDR4 DRAMとECC対応SO-DIMMを開発 | |
| 30nmプロセスで製造。データ転送速度 2,400Mbps、動作電圧 1.2V。64bitインターフェイスでの転送レートは19.2GB/sec。2012年後半から量産開始。 | ||
| 3.26 | [震災] ルネサスの主力工場は死んでいない | |
| 茨城県ひたちなか市にある主力工場の那珂工場は被害確認もままならない。国内外のグループ工場への振り替えや、GlobalFoundriesやTSMCに代わりに生産してもらうよう交渉中。 | ||
| 3.9 | ルネサス USB3.0 新型コントローラチップ | |
| 1.31 | GLOBALFOUNDRIES、2011年は28nmプロセス ITMedia版 | |
| ドイツのドレスデン Fab 1(Fab 30 + Fab 36), シンガポールの旧Chartered Fab 7, NewYork Fab 8。次のFabはアブダビ？ | ||
| 1.26 | GLOBALFOUNDRIES、2011年は28nmプロセスを立ち上げへ | |
| Intel、TSMCと抗していくつもりなら避けられない目標です。ただ28nmプロセスは開発目標。2011年は32nmプロセスの搭載製品が量産ターゲット。EUVは2012年後半にニューヨークのFab8に導入。 | ||
| 1.7 | 450mmウエハーへ向かうインテル、果たして移行できるのか | |
| アナリストはかなり懐疑的。なにしろ業界の誰もやっていない初物だけに、膨大なコストがかかる。それだけの投資をして元が取れるのか。 | ||
| 1.6 | Samsung、初のDDR4メモリを開発 | |
| 動作電圧 1.2V、転送速度 2.133Gbps、2GBのUnbuffered DIMM。製造プロセスは30nm。 | ||
| 2010 | ||
| 12.25 | 東芝、Cell製造設備をソニーに売却 | |
| 10.30 | 「Intel、東芝、Samsungが半導体微細化で共同開発」の日経報道 | |
| 10.5 | 「日本のリソグラフィ装置メーカーが危機に直面」、アナリストが警鐘 | |
| EUVリソグラフィはキヤノンはもうダメ。ニコンも苦境に。ASML独走状態。「少なくとも今後5年間は、（オランダ）ASMLが露光装置の市場を独占するだろう」とは野村證券アナリストの言葉。 | ||
| 9.14 | 福田昭氏: 「Hot Chips 22」 究極メモリに近づいたスピン注入メモリ | |
| 現状では製品化されたMRAMのメモリ容量は最大でも16Mbitしかないのが弱点だが、買い込み速度、耐久性（データ寿命20年）、省電力性などは非常に優秀。 | ||
| 9.2 | [PC Watch] 東芝、24nmプロセスの64Gbit NANDを量産開始 | |
| 24nmプロセス製造の64Gbit NANDフラッシュを製品化。Toggle DDR採用。今後は32Gbit品、3bit/セル品を展開予定。 | ||
| [PC Watch] エルピーダとSpansion、世界初のチャージトラップ型NANDフラッシュを開発 | ||
| 微細化に向き、リードライトも速いという。2010年第4四半期に携帯電話向けにサンプル出荷。量産は2011年第1四半期から。 | ||
| 8.12 | [EE Times] Hynix、26nm製造技術適用のNAND型フラッシュを量産開始 | |
| アナリストによれば、Hynix社の製品は26nm製造技術を導入したものだという | ||
| 7.28 | Hynix 2010年第2四半期に記録的売上高 40nm台への移行加速 | |
| 4Xnmプロセスへの移行を加速。3Xnmプロセスは2010年内に開発を完了させる計画 | ||
| 7.22 | 独り勝ちTSMC ライバルに勝ったもう1つの理由 | |
| 6.25 | エルピーダ、2GbitのGDDR5を開発 | |
| 6.23 | ASML社、22nm/20nmのリソグラフィ装置をIntelから独占する可能性 | |
| 6.19 | 半導体製造 微細化の次は縦に積み上げ 100チップ積層メモリ | |
| 6.18 | 東芝 1チップ（中身は17枚積層）で128GBのNANDフラッシュ | |
| 6.8 | 2010年後半はNAND型フラッシュが品不足で価格上昇の見込み | |
| 最近値下がり傾向のNANDフラッシュだが、Apple次第で品不足化する恐れ。上がるも下がるもApple次第。流通量全体に占める割合はiPad向けが3％（700〜800万台）、iPhoneが9％と予測（4000万台）。 | ||
| 6.1 | 長期的に見れば450nmウェハーへの移行は避けられない | |
| 半導体メーカーの上位5、6社を除けば、対応できるメーカーは少ない。450nmウェハーによる製造には200億ドル、約2兆円もの開発費用が必要になる。 | ||
| 5.27 | Samsungに負けない半導体ビジネス イメージセンサー、パワー半導体 | |
| 内部に抱えるカムコーダー部隊が支えるソニーのイメージセンサー。カムコーダー用は世界シェアの85％、デジカメ用は60％を占める。同じく社内にエアコン開発部隊がある三菱電機のパワー半導体。世界市場2000億円の三分の一のシャアを持つ。 | ||
| Samsung 27nm、Hynix 26nm、IM Flash 25nm、東芝 24nm | ||
| アナリストの推測によるとNANDフラッシュメモリの各メーカーが導入した製造プロセスはSamsung 27nm、Hynix 26nm、IM Flash 25nm、東芝 24nm。製造プロセスだけでなく、歩留まりをあげてスムーズな製造ラインの立ち上げができるかが重要なので、今後のシェア動向に注目。 | ||
| 5.25 | TSMCが450mmへの移行を呼びかけるも反応は薄く | |
| 450nmに興味を示している企業はIntelとSamsungしかいない。IMECがクリーンルームの増設を行うが、主な目的はEUV設備の二度目の試作。今後2年間は450nmを積極的に研究する予定もない。 | ||
| 5.16 | iSuppli予測、300mmウエハーへの移行が進みシリコン需要が回復 | |
| 2010年は需要が飛躍的に回復すると予測。 | ||
| エルピーダ、世界最小という2Gbit DDR Mobile RAM - 40nm | ||
| ダイサイズ50mm²以下。2010年7月から量産開始。50nmの1Gbit品と較べると同等の実装面積で2倍の容量を搭載可能。 | ||
| 5.1 | 2009年のリソグラフィ装置市場 ASML 51％、ニコン 43％ | |
| 4.25 | Googleが 元P.A.Semiメンバー設立のAgnilux社（ARM設計）を買収 | |
| GoogleがAgnilux社を買収。Agnilux社はAppleが買収したP.A.Semiconductor社のメンバーが設立したARMプロセッサの設計を手がけている。ARM採用サーバーの開発が目的？ | ||
| Micron スマートフォン向け 2Gb 低電圧DDR2 | ||
| Micronが1.2Vで駆動する低電圧DDR2（LPDDR2）をアナウンス。量産は2010年第三四半期から。LPDDR2はARM系システムでよく使われているメモリー。 | ||
| 4.24 | TSMC決算 | |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company（TSMC）社 | ||
| 4.23 | エルピーダ、40nmプロセスの4Gbit DDR3 SDRAMを開発 | |
| 世界最大容量。40nmプロセスで製造され、標準電圧1.5Vだけでなく低電圧1.35Vもサポート。これにより32GBモジュールが実現する。ノート向けでは8GBモジュール。 | ||
| 4.21 | Samsungが20nm台 NANDのSDカードをサンプル出荷 | |
| 20nmではなく20nm-classとのこと。最先端プロセス争いと同等に、東芝、SanDisk連合が今年Samsungにシェアを逆転できるかどうか気になるところ。 | ||
| 4.7 | Intel社とMicronの合弁企業 IM Flashが増産に向け人材募集 | |
| エンジニアリングと資材調達、人事などで61名を募集。オランダASML社にリソグラフィ装置3基発注。 | ||
| 4.6 | 福田氏: セミコン業界最前線 ルネサス エレクトロニクス | |
| 登記上の本社はNECエレ、事務所は旧ルネサスを継承。従業員数は4万7000人。年間売上高は1兆円だが、営業赤字1000億円からのスタート。道のりは険しい。 | ||
| 4.3 | 東芝が続伸、１２年メドに超微細メモリー量産と伝わる | |
| EUV露光を採用。露光装置はやっぱりオランダASML社。東芝は2009年7月から32nm量産をはじめている。 | ||
| 3.13 | 「EUVに投資できる半導体メーカーは？」、英アナリストが予測 | |
| EUVでもオランダASML社絶好調。かつての王者ニコンは大きく出遅れている。キヤノンはもはや枠外。 | ||
| 2.27 | Intel&Micron vs 東芝 vs Samsung vs Hynix のNANDフラッシュ争い | |
| 2.25 | [EE Times] 2010年はメモリー供給量が不足する ASML、ニコン動向 | |
| リソグラフィ装置の主要なメーカーASMLとニコン。ASMLはメモリー・メーカーやファウンドリに大量に装置を販売しており、2008年10月には新たな液浸リソグラフィ装置「TWINSCAN NXT」を発表した。ニコンはIntelにリソグラフィ装置を多く供給している。 | ||
| [CNET Japan] ARMとGLOBALFOUNDRIES、28ナノメートルプロセスのSOCを発表 | ||
| 2010年後半を目標に、28nmの「Cortex-A9」ベースのSoCを製造開始。 | ||
| 2.13 | The AMD's Cafe:HynixのNANDは26nm、Samsungは27nmへ | |
| Intel/Micronは25nm NANDを発表済み。新たにHynixが26nmプロセスの64Gbit NANDを2010年Q3までに量産開始すると発表 | ||
| 2.9 | [PC Watch] MicronとNanya、42nmプロセスの2Gbit DDR3メモリを開発 | |
| 米Micronと台湾Nanyaは銅ベースの42nmプロセスを使用した 2GbitのDDR3メモリを開発したと発表。駆動電圧は1.35V。 | ||
| 2.1 | 坂本幸雄・エルピーダメモリCEO - DRAMメーカーは世界で２社しか生き残れない | |
| サムスンの強みはおそらくエルピーダの10倍はいるR＆D（研究開発）。１カ所ですべて作ることでオペレーションの効率がいい。間が豊富にいます。サムスンに対抗するためには台湾でも研究開発をやっていく必要がある。 | ||
| 1.30 | 生き残る半導体製造メーカーはどこだ 2010年設備投資予測 | |
| 1.29 | [EE Times] 450mmウエハー、EUV、TSV、半導体の最新技術は実用化めども立たず | |
| 「EUV技術は、2015年に13nm製造技術で実用化される可能性が高い」と予測する。 | ||
| 1.8 | 中国製CPU「龍芯3号」 - 中国リアルIT事情 | |
| 中国製CPU「龍芯3号」。クロックは1Ghzで4コア、65nmプロセス、トランジスタ数は4億2500万。スパコン「曙光」のロードマップでは、曙光6000に8000超の龍芯3号を搭載し、江蘇省政府は15万台の龍芯3号搭載PCを1億5000万元（20億円強）で購入する予定。解説 | ||
| 2009 | ||
| 12.29 | Intel、48コア搭載のプロセッサをデモ - ITmedia News | |
| Intelの多コア試作品。45nmプロセス製造の48コア。25ワットから125ワットで動作。現行のCoreプロセッサの10〜20倍の性能を発揮。 | ||
| 12.26 | [ガートナー] 2009年世界半導体市場の売り上げは11.4%減の2,260億ドル | |
| 2009年の世界半導体市場の売り上げが、前年比11.4%減の2,260億ドルになるとの見通し | ||
| 12.25 | 「実際に機能する単分子トランジスター」の開発に成功 | WIRED VISION | |
| 1つの分子から作ったトランジスターを実際に機能させることに、研究者らが成功した。このトランジスターは、金の接点の間に単一のベンゼン分子を取り付けたもので、シリコン・トランジスターとまったく同じように機能させることができる | ||
| 12.22 | JBpressコラム 日本「半導体」の凋落 | |
| 12.16 | [PC Watch] 東芝、業界最大64GBの組み込み向けNANDフラッシュメモリ | |
| 32nmプロセスの32Gbit NANDフラッシュメモリを16枚と、コントローラ1枚の計17枚を積層 | ||
| 12.5 | [PC Watch] Samsung、30nm級プロセスのDDR NANDを量産 | |
| 従来のSDR MLC NANDの40Mbpsの転送速度と比較して、133Mbpsの転送速度を実現した。容量は32Gbit | ||
| 11.27 | Elpida x32 bit I/O、2Gbit DDR2 SDRAMのサンプル出荷 | |
| ターゲットはデジタルTVやデジタルスチルカメラを想定。1チップ当たりのバンド幅を拡大しメモリ実装点数を削減できる。 | ||
| 10.30 | 北森瓦版 Intel、2015年の第4四半期には11nmプロセス？ | |
| 2015年第4四半期に11nmプロセスが予定。11nmプロセスの先はさらに80％小さい7nmプロセス。 | ||
| 10.5 | PRAMの時代が始まる、Numonyx社の1Gビット品量産はいつか | EE Times Japan | |